機(jī)載高頻開關(guān)電源產(chǎn)品特地用于輸入交流400Hz的場所，這是特意為了滿足軍用雷達(dá)、航空航天、艦船、機(jī)車以及導(dǎo)彈發(fā)射等特地用處所設(shè)計的。應(yīng)用戶請求，研制出機(jī)載高頻開關(guān)電源產(chǎn)品對電子武器配備系統(tǒng)的國產(chǎn)化，突破國際封鎖，進(jìn)步我軍配備的機(jī)動性，高性能都有重要的意義。

　　機(jī)上可供選擇的供電電源有兩種輸入方式：115V/400Hz中頻交流電源和28V直流電源。兩種輸入方式各有優(yōu)缺陷，115V/400Hz電源動搖小，需求器件的耐壓相對較高;而28V直流電源卻相反，普通不能直接提供應(yīng)設(shè)備部件運用，必需將供電電源停止隔離并穩(wěn)壓成為需求的直流電源才干運用。機(jī)載電源的運用環(huán)境比擬惡劣，必需順應(yīng)寬范圍溫度正常工作，并能禁受沖擊、震動、濕潤等應(yīng)力挑選實驗，因而設(shè)計機(jī)載電源的牢靠性給我們提出了更高的請求。下面主要引見115V/400Hz中頻交流輸入方式所研制的開關(guān)電源，它的輸出電壓270～380Vdc能夠調(diào)理，輸出功率不小于3000W，環(huán)境溫度可寬至-40℃～+55℃，完整順應(yīng)軍品級電源的需求。

　　系統(tǒng)構(gòu)成及主回路設(shè)計

　　它的設(shè)計主要經(jīng)過升壓功率因數(shù)校正電路及DC/DC變換電路兩局部完成。115Vac/400Hz中頻交流電源經(jīng)輸入濾波，經(jīng)過升壓功率因數(shù)校正(PFC)電路完勝利率因數(shù)校正及升壓預(yù)穩(wěn)、能量存儲，再經(jīng)過DC/DC半橋變換、高頻整流濾波器、輸出濾波電路以及反應(yīng)控制回路完成270～380Vdc可調(diào)理輸出穩(wěn)壓的性能請求。

　　升壓功率因數(shù)校正電路主要使輸入功率因數(shù)滿足指標(biāo)請求，同時完成升壓預(yù)穩(wěn)功用。本局部設(shè)計統(tǒng)籌功率因數(shù)電路到達(dá)0.92的請求，又使DC/DC輸入電壓恰當(dāng)，不致使功率因數(shù)校正電路工作擔(dān)負(fù)過重，因而設(shè)定在330～350Vdc。

　　隔離式DC/DC變換器電路拓?fù)錁?gòu)造方式主要有以下幾種：正激、反激、全橋、半橋和推挽。反激和正激拓?fù)渲饕獞?yīng)用在中小功率電源中，不合適本電源的3000W輸出功率請求。全橋拓?fù)涔倘荒茌敵鲚^大的功率，但構(gòu)造相對較為復(fù)雜。推挽電路構(gòu)造中的開關(guān)管電壓應(yīng)力很高，并且在推挽和全橋拓?fù)渲卸伎赡艹尸F(xiàn)單向偏磁飽和，使開關(guān)管損壞。而半橋電路由于具有自動抗不均衡才能，而且相對較為簡單，開關(guān)管數(shù)量較少且電壓電流應(yīng)力都比擬適中，故不失為一種合理的選擇。

　　DC/DC變換電路主要為功率變壓器設(shè)計，采用IGBT/MOSFET并聯(lián)組合開關(guān)技術(shù)和半橋電路均衡控制技術(shù)。經(jīng)過火析計算，采用雙E65磁芯，初級線圈12匝，次級繞組圈15匝。

　　關(guān)鍵技術(shù)設(shè)計

　　1功率因數(shù)校正技術(shù)和無源無耗緩沖電路

　　具有正弦波輸入電流的單相輸入個功率因數(shù)校正電路在開關(guān)電源中的運用越來越普遍，圖2所示為升壓功率因數(shù)校正和無源無耗緩沖電路。

　　采用無源無耗緩沖電路，元件全部采用L、C、D等無源器件，既有零電流導(dǎo)通特性，又有零電壓關(guān)斷特性，比傳統(tǒng)的有損耗的緩沖電路元件少30%。緩沖電路元件包括L1、C1、C2、D1、D2和D3。

　　可用UC2854A控制主開關(guān)SWB，其緩沖電路是不需控制的，并且具有電路簡單的特性。其原理是將二極管DB反向恢復(fù)的能量和SWB關(guān)斷時貯存在C2中的能量在SWB導(dǎo)通時轉(zhuǎn)移到C1中。在SWB關(guān)斷時，L1中的儲能向C2充電，并經(jīng)過D1、D2、D3轉(zhuǎn)移到CB中，同時也向CB放電，用這種電路完成了零電壓關(guān)斷和零電流導(dǎo)通，有效地減少損耗，進(jìn)步了電路的效率和牢靠性。

　　該電路的主要特性是：

　　開關(guān)SWB上最大電壓為輸出電壓VL。

　　Boost二極管DB上最大反向電壓為VL+VE，VE值由IR、L1、C1及C2的相關(guān)值決議。

　　開關(guān)SWB上最大電流上升率由L1和V1決議，并且導(dǎo)通損耗和應(yīng)力很小。

　　開關(guān)SWB上最大電壓率由C2決議，并且關(guān)斷功耗和應(yīng)力很小。

　　在開關(guān)周期中，為取得電流和電壓上升率的控制而貯存在L1和C2中的能量最終又回到輸出電源中，這樣確保電路真正的無損耗工作。

　　2 IGBT/MOSFET并聯(lián)組合開關(guān)技術(shù)

　　與MOSFET相比，IGBT通態(tài)電壓很低，電流在關(guān)斷時很快降落到初始值的5%，但減少到零的時間較長，約1～1.5μs，在硬開關(guān)形式下會招致很大的開關(guān)損耗。在組合開關(guān)中，并聯(lián)MOSFET在IGBT關(guān)斷1.5μs后，拖尾電流已減少到接近零時才關(guān)斷。

　　這種技術(shù)因通態(tài)損耗很低而使得DC/DC變換器的效率很高。但需工作頻率相對較低，普通選取20～40kHz。由于半橋組合開關(guān)只需兩個開關(guān)，總的開關(guān)器件的數(shù)目少，使牢靠性顯著進(jìn)步。

　　3半橋電路均衡控制技術(shù)

　　經(jīng)過控制和調(diào)整 IGBT/MOSFET柵驅(qū)動的延遲時間可使半橋均衡，防止變壓器偏磁飽和過流，燒毀開關(guān)管。這在脈沖較寬大時，很容易完成。但當(dāng)輕載或無載時，脈寬很窄(例如小于0.3μs)，此時的IGBT/MOSFET延遲已取消。因而在窄脈寬時，為堅持其均衡，我們采用了一個低頻振蕩器。當(dāng)脈寬小于0.3μs時，振蕩器起振使PWM發(fā)作器間歇工作，堅持脈寬不小于0.3μs，以維持半橋均衡，使其在無載時能正常工作。

　　由于工作頻率較低，組合開關(guān)的開關(guān)損耗很小，通態(tài)損耗也很小。

　　4 多重環(huán)路控制電路

　　均勻電流形式控制系統(tǒng)采用PI調(diào)理器，需求肯定比例系數(shù)和零點兩個參數(shù)。調(diào)理器比例系數(shù)KP的計算準(zhǔn)繩是保證電流調(diào)理器輸出信號的上升階段斜率比鋸齒波斜率小，這樣電流環(huán)才會穩(wěn)定。零點選擇在較低的頻率范圍內(nèi)，在開關(guān)頻率所對應(yīng)的角頻率的1/10～1/20處，以取得在開環(huán)截止頻率處較充足的相位裕量。

　　另外，在PI調(diào)理器中增加一個位于開關(guān)頻率左近的極點，用來消弭開關(guān)過程中產(chǎn)生的噪聲對控制電路的干擾。

　　控制電路的中心是電壓、電流反應(yīng)控制信號的設(shè)計。為了保證在系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下進(jìn)步反響速度，設(shè)計了以電壓環(huán)為主的多重環(huán)路控制技術(shù)。電流環(huán)響應(yīng)負(fù)載電流變化，并且有限流功用。設(shè)計電路增加了對輸出電感電流采樣后的差分放大，隔直后參加到反應(yīng)環(huán)中參與控制，調(diào)理器增益可經(jīng)過后級帶電位器的放大環(huán)節(jié)停止調(diào)理。這樣電源工作在高精度恒壓狀態(tài)下，輸出動態(tài)響應(yīng)，使電源在負(fù)載突變的狀況下，沒有大的輸出電壓過沖。

　　5進(jìn)步散熱效果，降低熱阻

　　為了減小整機(jī)體積，到達(dá)合理的功率密度，采用了強(qiáng)迫風(fēng)冷方式。關(guān)于風(fēng)冷散熱器來說，風(fēng)速的大小直接關(guān)系到散熱效果的優(yōu)劣。由于請求前后通風(fēng)，在設(shè)計時應(yīng)思索：

　　保證風(fēng)速到達(dá)一定的請求(V= 6m/s)，并思索風(fēng)壓的影響。當(dāng)風(fēng)壓低于散熱器壓頭損失時，冷卻風(fēng)基本就吹不過去或風(fēng)速很低，達(dá)不到進(jìn)步散熱率的目的。

　　由于散熱器及翼片間隙同風(fēng)道與散熱器間隙有很大差異，當(dāng)風(fēng)壓過低時，能夠在進(jìn)風(fēng)口散熱器與風(fēng)道的間隙間加擋流柵板或喇叭型的進(jìn)口，強(qiáng)迫風(fēng)從散熱器的翼片間流過。

　　升壓電感、主變壓器、輸出濾波電感成一排固定在散熱器上半部，主板固定在散熱器下半部;主板上的功率器件如功率開關(guān)管、輸出整流管經(jīng)過鋼板壓條固定在散熱器上，主板上半部放質(zhì)低元器件、下半部放置高元器件，風(fēng)扇放置在散熱器前中上位置并固定在前面板上，采用行進(jìn)風(fēng)后出風(fēng)方式。

　　軍用高頻開關(guān)電源產(chǎn)品不但要思索電源自身參數(shù)設(shè)計，還要思索電氣設(shè)計、電磁兼容設(shè)計、熱設(shè)計、構(gòu)造設(shè)計、平安性設(shè)計和三防設(shè)計等方面。由于任何方面哪怕是最微小的忽略，都可能招致整個電源的解體，所以我們應(yīng)充沛認(rèn)識到軍用高頻開關(guān)電源產(chǎn)品牢靠性設(shè)計的重要性。

2和D3。

　　可用UC2854A控制主開關(guān)SWB，其緩沖電路是不需控制的，并且具有電路簡單的特性。其原理是將二極管DB反向恢復(fù)的能量和SWB關(guān)斷時貯存在C2中的能量在SWB導(dǎo)通時轉(zhuǎn)移到C1中。在SWB關(guān)斷時，L1中的儲能向C2充電，并經(jīng)過D1、D2、D3轉(zhuǎn)移到CB中，同時也向CB放電，用這種電路完成了零電壓關(guān)斷和零電流導(dǎo)通，有效地減少損耗，進(jìn)步了電路的效率和牢靠性。

　　該電路的主要特性是：

　　開關(guān)SWB上最大電壓為輸出電壓VL。

　　Boost二極管DB上最大反向電壓為VL+VE，VE值由IR、L1、C1及C2的相關(guān)值決議。

　　開關(guān)SWB上最大電流上升率由L1和V1決議，并且導(dǎo)通損耗和應(yīng)力很小。

　　開關(guān)SWB上最大電壓率由C2決議，并且關(guān)斷功耗和應(yīng)力很小。

　　在開關(guān)周期中，為取得電流和電壓上升率的控制而貯存在L1和C2中的能量最終又回到輸出電源中，這樣確保電路真正的無損耗工作。

　　2 IGBT/MOSFET并聯(lián)組合開關(guān)技術(shù)

　　與MOSFET相比，IGBT通態(tài)電壓很低，電流在關(guān)斷時很快降落到初始值的5%，但減少到零的時間較長，約1～1.5μs，在硬開關(guān)形式下會招致很大的開關(guān)損耗。在組合開關(guān)中，并聯(lián)MOSFET在IGBT關(guān)斷1.5μs后，拖尾電流已減少到接近零時才關(guān)斷。